报 告 人：于贵 研究员（中国科学院化学研究所）

邀 请 人： 张文静 教授

时　 间：2023年4月14日上午09:30-11:30

地　 址：沧海校区致腾楼223会议室

报告摘要：

石墨烯作为完美的二维原子晶体具有独特的机械、光学和电学性能，已引起了人们的广泛关注。我们采用化学气相沉积（CVD）的方法生长了高质量单晶石墨烯，实现了石墨烯的层数和形貌的调控；采用原位刻蚀的方法制备了亚微米的石墨烯阵列；采用一种新的前驱体调控策略，在绝缘基底上直接生长出大面积高质量的均匀单层石墨烯薄膜，无需任何复杂的转移过程，在绝缘基底上制备了场效应晶体管器件，迁移率高达3800 cm2 V‒1 s‒1。同时，在绝缘衬底上CVD生长了三维直立石墨烯，它具有优秀的场发射性能。在此基础上，在Si衬底上生长了三维石墨烯网络，它对电化学水产氢具有优秀的催化活性。此外，采用CVD方法生长了大面积和高质量石墨烯纳米带阵列，获得了宽度小于10 nm的超长石墨烯纳米带（长度约为3.1 µm）。

报告人简介：

中国科学院化学研究所研究员，博士生导师。2008年获国家杰出青年科学基金，2009年入选新世纪百千万人才工程国家级人选，2012年获得政府特殊津贴，2014年作为负责人的"分子材料与器件创新团队"入选科技部创新人才推进计划的重点领域创新团队，2016年入选国家"万人计划"科技创新领军人才。

主要从事有机光电功能材料的设计合成、石墨烯的生长、光电磁器件的制备及其性能的研究工作。发表SCI论文300多篇，研究结果被Chemistry World和High-Tech Materials Alert等杂志介绍和评价，论文被SCI他引16000多次。曾获国家自然科学奖二等奖两项、北京市科学技术奖自然科学奖一等奖两项、北京青年优秀科技论文一等奖等奖励。