报告题目：脑启发的忆阻型神经形态器件的设计与应用研究

主讲嘉宾：朱小健 （博士）美国密歇根大学电气工程系研究员

时间：2020年1月7日（周二）上午10:30-11:30

地点：沧海校区致腾楼811会议室

内容摘要：

大数据和物联网的发展对计算机的信息处理能力和处理效率提出了更高要求。目前广泛使用的数字计算芯片采用了传统的冯·诺依曼架构，运算器和存储器空间分立，计算性能和能耗效率难以进一步提高。类脑芯片是一类受人脑功能和架构启发的人工智能芯片，其通过模仿人脑神经网络系统的架构，将运算和存储深度融合，实现高效能计算。神经突触是人脑处理信息最基本的单元，研制出可模仿脑神经突触功能的电子器件是发展类脑芯片的前提。基于离子输运的忆阻纳米薄膜器件可模拟神经突触的可塑性功能，是构建类脑芯片的理想选择。本报告将围绕基于忆阻器的类脑神经形态器件，介绍了如何通过精确控制纳米尺度下离子的输运，高仿真度地模拟大脑神经系统中的生物离子效应，帮助实现可模仿人脑重要信息处理功能的微纳电子器件。

主讲人简介：

朱小健，美国密歇根大学电气工程系研究员。主要从事类脑神经形态器件的机理、设计与应用研究。2009年本科毕业于苏州大学，2014年博士毕业于中科院宁波材料所，2015年起至今在美国密歇根大学开展研究工作。在Nat. Mater.、Adv. Mater.和ACS Nano等期刊发表论文40余篇，总引用2000余次，获授权专利5项，受邀撰写综述论文3篇。曾获中科院院长优秀奖（2014）、中科院优博论文奖（2015）、中国电子学会优博论文奖（2016）和中国电子学会科学技术二等奖（2018）等奖项。